何謂蝕刻(Etch)?
答:將形成在晶圓表面上的薄膜全部,或特定處所去除至必要厚度的制程。
蝕刻種類:
答:(1)干蝕刻(2)濕蝕刻
蝕刻對象依薄膜種類可分為:
答:poly,oxide,metal
半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?
答:鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)
何謂dielectric 蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)?
答:Oxideetch and nitride etch
半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何?
答:氧化硅/氮化硅
何謂濕式蝕刻
答:利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除
何謂電漿Plasma?
答:電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù)離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓。
何謂干式蝕刻?
答:利用plasma將不要的薄膜去除
何謂Under-etching(蝕刻不足)?
答:系指被蝕刻材料,在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留
何謂Over-etching(過蝕刻 )
答:蝕刻過多造成底層被破壞
何謂Etchrate(蝕刻速率)
答:單位時(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度
何謂Seasoning(陳化處理)
答:是在蝕刻室的清凈或更換零件后,為要穩(wěn)定制程條件,使用仿真(dummy)晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。
Asher的主要用途:
答:光阻去除
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Wet bench dryer 功用為何?
答:將晶圓表面的水份去除
列舉目前Wetbench dry方法:
答:(1)Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
何謂Spin Dryer
答:利用離心力將晶圓表面的水份去除
何謂Maragoni Dryer
答:利用表面張力將晶圓表面的水份去除
何謂IPA Vapor Dryer
答:利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除
測Particle時(shí),使用何種測量儀器?
答:TencorSurfscan
測蝕刻速率時(shí),使用何者量測儀器?
答:膜厚計(jì),測量膜厚差值
何謂AEI
答:AfterEtching Inspection 蝕刻后的檢查
AEI目檢Wafer須檢查哪些項(xiàng)目:
答:(1)正面顏色是否異常及刮傷(2) 有無缺角及Particle(3)刻號(hào)是否正確
金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理?
答:清機(jī)防止金屬污染問題
金屬蝕刻機(jī)臺(tái)asher的功用為何?
答:去光阻及防止腐蝕
金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗?
答:因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中
'Hot Plate'機(jī)臺(tái)是什幺用途?
答:烘烤
Hot Plate 烘烤溫度為何?
答:90~120度C
何種氣體為PolyETCH主要使用氣體?
答:Cl2,HBr, HCl
用于Al 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為
答:Cl2,BCl3
用于W金屬蝕刻的主要?dú)怏w為
答:SF6
何種氣體為oxidevai/contact ETCH主要使用氣體?
答:C4F8,C5F8, C4F6
硫酸槽的化學(xué)成份為:
答:H2SO4/H2O2
AMP槽的化學(xué)成份為:
答:NH4OH/H2O2/H2O
UV curing 是什幺用途?
答:利用UV光對光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度
'UV curing'用于何種層次?
答:金屬層
何謂EMO?
答:機(jī)臺(tái)緊急開關(guān)
EMO作用為何?
答:當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下
濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示?
答:(1)警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn).嚴(yán)禁打開此門(2) 機(jī)械手臂危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門 (3) 化學(xué)藥劑危險(xiǎn). 嚴(yán)禁打開此門
遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置?
答:嚴(yán)禁以手去測試漏出之液體. 應(yīng)以酸堿試紙測試. 并尋找泄漏管路.
遇IPA 槽著火時(shí)應(yīng)如何處置??
答:立即關(guān)閉IPA輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組
BOE槽之主成份為何?
答:HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨).
BOE為那三個(gè)英文字縮寫 ?
答:BufferedOxide Etcher 。
有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何?
答:當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出
電漿的頻率一般13.56MHz,為何不用其它頻率?
答:為避免影響通訊品質(zhì),目前只開放特定頻率,作為產(chǎn)生電漿之用,如380~420KHz ,1
3.56MHz,2.54GHz等
何謂ESC(electricalstatic chuck)
答:利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板(Substrate) 上
Asher主要?dú)怏w為
答:O2
Asher機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何?
答:溫度
簡述TURBOPUMP 原理
答:利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR
熱交換器(HEATEXCHANGER)之功用為何?
答:將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達(dá)到溫度控制之目地
簡述BACKSIDEHELIUM COOLING之原理?
答:藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化
ORIENTER 之用途為何?
答:搜尋notch邊,使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定,可追蹤問題
簡述EPD之功用
答:偵測蝕刻終點(diǎn);Endpoint detector利用波長偵測蝕刻終點(diǎn)
何謂MFC?
答:massflow controler氣體流量控制器;用于控制反應(yīng)氣體的流量
GDP 為何?
答:氣體分配盤(gasdistribution plate)
GDP 有何作用?
答:均勻地將氣體分布于芯片上方
何謂isotropic etch?
答:等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等
何謂anisotropic etch?
答:非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少
何謂etch 選擇比?
答:不同材質(zhì)之蝕刻率比值
何謂AEICD?
答:蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(CriticalDimension)
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何謂CDbias?
答:蝕刻CD減蝕刻前黃光CD
簡述何謂田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法?
答:利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析
何謂反射功率?
答:蝕刻過程中,所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會(huì)有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率
Load Lock 之功能為何?
答:Wafers經(jīng)由loadlock后再進(jìn)出反應(yīng)腔,確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.
廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas ?
答:BulkGas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等.
廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Inert Gas?
答:InertGas 為一些特殊無強(qiáng)烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.
廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Toxic Gas ?
答:ToxicGas 為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.
機(jī)臺(tái)維修時(shí),異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理?
答:將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作
冷卻器的冷卻液為何功用 ?
答:傳導(dǎo)熱
Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理 ?
答:利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽
何謂RPM?
答:即RemotePower Module,系統(tǒng)總電源箱.
火災(zāi)異常處理程序
答:(1)立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機(jī)臺(tái). (4) 關(guān)
閉VMB Valve 并通知廠務(wù). (5) 撤離.
一氧化碳(CO)偵測器警報(bào)異常處理程序
答:(1)警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關(guān)閉 VMB 閥,并通
知廠務(wù).(4) 進(jìn)行測漏.
高壓電擊異常處理程序
答:(1)確認(rèn)安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認(rèn)受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員
T/C(傳送TransferChamber) 之功能為何 ?
答:提供一個(gè)真空環(huán)境, 以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送 Wafer,節(jié)省時(shí)間.
機(jī)臺(tái)PM時(shí)需佩帶面具否
答:是,防毒面具
機(jī)臺(tái)停滯時(shí)間過久run貨前需做何動(dòng)作
答:Seasoning(陳化處理)
何謂日常測機(jī)
答:機(jī)臺(tái)日常檢點(diǎn)項(xiàng)目, 以確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況正常
何謂WAC(Waferless Auto Clean)
答:無wafer自動(dòng)干蝕刻清機(jī)
何謂DryClean
答:干蝕刻清機(jī)
日常測機(jī)量測etch rate之目的何在?
答:因?yàn)橐g刻到多少厚度的film,其中一個(gè)重要參數(shù)就是蝕刻率
操作酸堿溶液時(shí),應(yīng)如何做好安全措施?
答:(1)穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡(2) 操作區(qū)備有清水與水管以備不時(shí)之需(3)操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶
如何讓chamber達(dá)到設(shè)定的溫度?
答:使用heater和 chiller Chiller之功能為何?
答:用以幫助穩(wěn)定chamber溫度
如何在chamber建立真空?
答:(1)首先確立chamberparts組裝完整(2) 以dry pump作第一階段的真空建立(3)當(dāng)圧力到達(dá)100mTD寺再以turbopump 抽真空至1mT以下
真空計(jì)的功能為何?
答:偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下 process Transfermodule 之robot 功用為何?
答:將wafer傳進(jìn)chamber與傳出chamber之用
何謂MTBC?(mean time between clean)
答:上一次wet clean 到這次wet clean 所經(jīng)過的時(shí)間
RFGenerator 是否需要定期檢驗(yàn)?
答:是需要定期校驗(yàn);若未校正功率有可能會(huì)變化;如此將影響電漿的組成
為何需要對etch chamber溫度做監(jiān)控?
答:因?yàn)闇囟葧?huì)影響制程條件;如etching rate/均勻度
為何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?
答:因?yàn)闅鈮喝籼髸?huì)造成pump 負(fù)荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質(zhì)
為何要做漏率測試? (Leak rate )
答:(1) 在PM后PUMP Down 1~2小時(shí)后;為確保chamber Run 貨時(shí),無大氣進(jìn)入chamble 影響chamber GAS 成份(2) 在日常測試時(shí),為確保chamber 內(nèi)來自大氣的泄漏源,故需測漏。
機(jī)臺(tái)發(fā)生Alarm時(shí)應(yīng)如何處理?
答:(1)若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),并滅火且通知相關(guān)人員與主管(2) 若是一般異常,請先檢查alarm訊息再判定異常原因,進(jìn)而解決問題,若未能處理應(yīng)立即通知主要負(fù)責(zé)人
蝕刻機(jī)臺(tái)廢氣排放分為那幾類?
答:一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放
蝕刻機(jī)臺(tái)使用的電源為多少伏特(v)?
答:208V三相
干式蝕刻機(jī)臺(tái)分為那幾個(gè)部份?
答:(1)Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4)真空系統(tǒng)(5) GAS system (6) RF system
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